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AON6262E	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel AlphaSGT™	AOS 美国万代	AOS
AON6262E	文件：334.08 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel AlphaSGT 文件：334.08 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
EL6262C	文件：137.86 Kbytes Page：2 Pages	Quad 20MHz & Quad, 70MHz, Switched Gain Pre-Amp General Description The EL6262C consists of 4 20MHz trans-impedance amplifiers and 4 70MHz trans-impedance amplifiers. The four 70MHz amplifier outputs also are averaged to provide differential 70MHz outputs. The EL6262C is designed to amplify the photo diode currents for CD, DVD, or other photo 文件：137.86 Kbytes 页数：2 Pages	Elantec	Elantec
EL6262CU	文件：137.86 Kbytes Page：2 Pages	Quad 20MHz & Quad, 70MHz, Switched Gain Pre-Amp General Description The EL6262C consists of 4 20MHz trans-impedance amplifiers and 4 70MHz trans-impedance amplifiers. The four 70MHz amplifier outputs also are averaged to provide differential 70MHz outputs. The EL6262C is designed to amplify the photo diode currents for CD, DVD, or other photo 文件：137.86 Kbytes 页数：2 Pages	Elantec	Elantec
G6262	文件：148.22 Kbytes Page：4 Pages	GaAsP photodiode GaAsP photodiode Diffusion type Short-wavelength type photodiode Features ● Low dark current ● Narrow spectral response range Applications ● Analytical instruments ● UV detection 文件：148.22 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

技术参数

Package：
DFN5x6-8L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
6.20
4.5V：
8.50
ID @ 25°C (A)：
40
PD @ 25°C (W)：
48
Qg (10V)(nC)：
30
Qg (4.5V)(nC)：
15
VGS(th) max (V)：
2.20
Ciss (pF)：
1650
Coss (pF)：
520
Crss (pF)：
52
Qgd (nC)：
6.50
tD(on) (ns)：
13.50
tD(off) (ns)：
50
Trr (ns)：
19
Qrr (nC)：
60
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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更多AON6262供应商更新时间2025-12-10 14:01:00

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