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AON5820	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压共漏电池 MOSFET 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON5820	文件：278.24 Kbytes Page：6 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件：278.24 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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技术参数

Package：
DFN2x5-6L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VGS (±V)：
12
PD @ 25°C (W)：
1.70
Qg (4.5V)(nC)：
12.50
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1255
Coss (pF)：
200
Crss (pF)：
168
Qgd (nC)：
6.50
tD(on) (ns)：
1.10
tD(off) (ns)：
7
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
15
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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