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AON5802中文资料Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor数据手册AOS规格书

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厂商型号

AON5802

参数属性

AON5802 封装/外壳为6-WFDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N-CH DUAL DFN

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

封装外壳

6-WFDFN 裸露焊盘

制造商

AOS Alpha & Omega Semiconductor(AOS)

中文名称

美国万代 美国万代半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:30:00

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技术参数

  • 产品编号:

    AON5802B_101

  • 制造商:

    Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-DFN-EP(2x5)

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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