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AON2408	文件：241.35 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET General Description The AON2408 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON) . This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 20V ID (at VGS=4. 文件：241.35 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON2408	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
bq2408x	文件：1.74865 Mbytes Page：42 Pages	750-mA Single-Chip Li-Ion and Li-Pol Charge Management IC With Thermal Regulation 文件：1.74865 Mbytes 页数：42 Pages	TI 德州仪器	TI
BURNDY_YF2408IT	文件：272.55 Kbytes Page：2 Pages	Elect Cu Single Insul Wire Ferrules, Smooth Funnel Entry, 22-24 AWG, 0.49 L, Tin Plated, Pink, For use on Cu Cond. 文件：272.55 Kbytes 页数：2 Pages	HUBBELL	HUBBELL
BURNDY_YF2408IW	文件：255.32 Kbytes Page：2 Pages	Elect Cu Single Insul Wire Ferrules, Smooth Funnel Entry, 22-24 AWG, 0.49 L, Tin Plated, Turquoise, For use on Cu Cond. 文件：255.32 Kbytes 页数：2 Pages	HUBBELL	HUBBELL

技术参数

Package：
DFN2x2-6L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
20
4.5V：
14.50
2.5V：
19
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
2.80
Qg (4.5V)(nC)：
7
VGS(th) max (V)：
1.20
Ciss (pF)：
782
Coss (pF)：
158
Crss (pF)：
98
Qgd (nC)：
2.40
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
28
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
2.70
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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