AOM015V75X2Q

750 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET

Features •ProprietaryαSiCMOSFETtechnology •Lowloss,withlowRDS,ON •FastswitchingwithlowRGandlowcapacitance •Optimizedgatedrivevoltage(VGS=15V) •Lowreverserecoverydiode(Qrr) •AEC-Q101AutomotiveQualified Applications •xEVCharger •ElectricVehicleSupplyEquipme

AOM015V75X2Q

SiC MOSFET;

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品，完全符合AECQ-101标准，专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发，非常容易使用。\n

AON1606

AOS
DFN

AON2240

AOS
DFN

AON6144

TST嘉硕
0201

TST嘉硕