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EVAL-ADP1712	文件：254.99 Kbytes Page：8 Pages	evaluationboards	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FM1712B	文件：398.29 Kbytes Page：7 Pages	Widerangeinputsynchronousbuckcontrolchip	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
GC1712	文件：138.26 Kbytes Page：3 Pages	CONTROLDEVICES60VoltAbruptJunctionTuningVaractors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HFBR-1712TZ	文件：106.4 Kbytes Page：3 Pages	HighPerformance850nmTransmitterforextendedlinklengthapplicationswithSTconnector	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HFBR-1712TZ	文件：106.4 Kbytes Page：3 Pages	HighPerformance850nmTransmitterforextendedlinklengthapplicationswithSTconnector	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ICS1712	文件：635.3 Kbytes Page：28 Pages	ChargeControllerforNickel-CadmiumandNickel-MetalHydrideBatteries	GALAXY Galaxy Power, Inc.	GALAXY
ICS1712M	文件：635.3 Kbytes Page：28 Pages	ChargeControllerforNickel-CadmiumandNickel-MetalHydrideBatteries	GALAXY Galaxy Power, Inc.	GALAXY
ICS1712MT	文件：635.3 Kbytes Page：28 Pages	ChargeControllerforNickel-CadmiumandNickel-MetalHydrideBatteries	GALAXY Galaxy Power, Inc.	GALAXY
ICS1712N	文件：635.3 Kbytes Page：28 Pages	ChargeControllerforNickel-CadmiumandNickel-MetalHydrideBatteries	GALAXY Galaxy Power, Inc.	GALAXY
ICS1712S	文件：635.3 Kbytes Page：28 Pages	ChargeControllerforNickel-CadmiumandNickel-MetalHydrideBatteries	GALAXY Galaxy Power, Inc.	GALAXY

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详细参数

型号：
AOL1712
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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