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AOK2500L	文件：337.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：337.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK2500L	文件：322.36 Kbytes Page：6 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：322.36 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK2500L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 150V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
MJ2500	文件：132.16 Kbytes Page：4 Pages	10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.80 VOLTS 150 WATTS Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors 文件：132.16 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
T2500DFP	文件：83.89 Kbytes Page：4 Pages	ISOLATED TRIACs THYRISTORS 6 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS ISOLATED TRIACs THYRISTORS 6 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS .. . designed primarily for full-waveac control applications, such as solid-state relays, motorcontrols,heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thy 文件：83.89 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
T2500FP	文件：83.89 Kbytes Page：4 Pages	ISOLATED TRIACs THYRISTORS 6 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS ISOLATED TRIACs THYRISTORS 6 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS .. . designed primarily for full-waveac control applications, such as solid-state relays, motorcontrols,heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thy 文件：83.89 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

Package：
TO247-3L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
150
VGS (±V)：
20
10V：
6.20
ID @ 25°C (A)：
180
PD @ 25°C (W)：
500
Qg (10V)(nC)：
97
VGS(th) max (V)：
3.50
Ciss (pF)：
6460
Coss (pF)：
586
Crss (pF)：
22
Qgd (nC)：
17
tD(on) (ns)：
18.50
tD(off) (ns)：
67.50
Trr (ns)：
90
Qrr (nC)：
1090
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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