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AOK20S60	文件：256.839 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS Power Transistor General Description The AOK20S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：256.839 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK20S60	文件：325.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-247 packaging • High speed switching • Very high commutation ruggedness • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • PFC stages • Power supply • Switching applications 文件：325.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK20S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 20A a MOS Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOK20S60L	文件：453.66 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS General Description The AOK20S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：453.66 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK20S60L	文件：422.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.199Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：422.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK20S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO247-3L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
20
PD @ 25°C (W)：
266
10V：
199
Qg (4.5V)(nC)：
19.80
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
Trr (ns)：
380
Qrr (nC)：
5.70
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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