1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET

Features • Proprietary αSiC MOSFET technology • Low loss, with low RDS, ON • Fast switching with low RG and low capacitance • Optimized gate drive voltage (VGS = 15 V) • Low reverse recovery diode (Qrr) Applications Renewable Industrial • EV Charger • UPS • Solar Inverters • SMPS • Mot

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SiC MOSFET

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品，完全符合AECQ-101标准，专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发，非常容易使用。

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1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET

Features • Proprietary αSiC MOSFET technology • Low loss, with low RDS, ON • Fast switching with low RG and low capacitance • Optimized gate drive voltage (VGS = 15 V) • Low reverse recovery diode (Qrr) • AEC-Q101 Automotive Qualified Applications • xEV Charger • Electric Vehicle Supply

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