900V,9A N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

High efficient turn-on di/dt controllability

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万国半导体

High efficient turn-on di/dt controllability

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万国半导体

High efficient turn-on di/dt controllability

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万国半导体

TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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万国半导体

SiC MOSFET

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品，完全符合AECQ-101标准，专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发，非常容易使用。

AOS

美国万代

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor

AOS

美国万代

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor

AOS

美国万代

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 30A 167W TO247

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.