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AOI448	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI448	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU448	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：352.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU448L	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP448	文件：175.78 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
ARF448	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：389.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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