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AOI4185	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-40
VGS (±V)：
20
10V：
15
4.5V：
20
ID @ 25°C (A)：
-40
PD @ 25°C (W)：
62.50
Qg (4.5V)(nC)：
18.60
Qg (10V)(nC)：
42
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
2550
Coss (pF)：
280
Crss (pF)：
190
Qgd (nC)：
8.60
tD(on) (ns)：
9.40
tD(off) (ns)：
55
Trr (ns)：
38
Qrr (nC)：
47
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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