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AOGF60B65H2AL

650V, 60A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) Technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• High efficient turn-on di/dt controllability• Very high switching speed• Low turn-off switching loss and softness• Very good EMI behavior Applications • Power fac

文件:572.59 Kbytes 页数:8 Pages

AOSMD

万国半导体

AOGF60B65H2AL

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOK033V120X2

AOS/万代
TO-247

AOS/万代

AOK042A60FD

AOS/万代
TO-247

AOS/万代

AOL1428

AO
SOP-8

AO

技术参数

  • Package:

    TO3PF

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    84

  • Qrr (nC):

    800

  • VF (V):

    1.88

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    1.95

  • Ic max @ 25C (A):

    120

  • Ic max @ 100C (A):

    60

  • EON (mJ):

    2.36

  • EOFF (mJ):

    1.17

  • IRM (A):

    6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOGF60B65H2AL供应商 更新时间2025-10-4 11:02:00