AOD425中文资料PDF规格书
AOD425规格书详情
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The AOD425 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected.
-RoHS Compliant
-Halogen Free*
Features
VDS(V) = -30V
ID= -20A (VGS= -10V)
RDS(ON)< 17mΩ(VGS= -10V)
RDS(ON)< 35mΩ(VGS= -5V)
ESD Protected!
100 Rg Tested!
产品属性
- 型号：
AOD425
- 功能描述：
MOSFET P CH 30V 50A TO252
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
AO |
TO252 |
7906200 |
询价 | ||||
AOS/万代 |
2019+ |
TO252 |
3333 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
AOS(万代) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
TO-252 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+23+ |
TO-252 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
AOS |
TO-252 |
20000 |
原装正品 |
询价 | |||
AOS |
16+ |
TO252 |
2269 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2021+ |
TO252 |
65753 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
Alpha & Omega Semiconductor In |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
