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AOD4180规格书详情
General Description
The AOD4180 is fabricated with SDMOS™ trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge and low Qrr.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applications.
Product Summary
VDS 80V
ID (at VGS=10V) 54A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 14mΩ
RDS(ON) (at VGS = 7V) < 18mΩ
100 UIS Tested
100 Rg Tested
产品属性
- 型号：
AOD4180
- 功能描述：
MOSFET N-CH 80V 54A DPAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SDMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS万代 |
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