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AOI4128	文件：995.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI4128	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASSR-4128	文件：160 Kbytes Page：11 Pages	FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)(400V/0.10A/35)	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ASSR-4128	文件：160 Kbytes Page：11 Pages	FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
AT4128	文件：2.83263 Mbytes Page：20 Pages	StandardSizePushbuttons GeneralSpecifications ElectricalCapacity(ResistiveLoad) PowerLevel(silver):3A@125VACor3A@250VACor3A@30VDC LogicLevel(gold):0.4VAmaximum@28VAC/DCmaximum (ApplicableRange0.1mA~0.1A@20mV~28V) Note:FindadditionalexplanationofoperatingrangeinSupplements	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷日本开闭器工业株式会社	NKK
BH4128	文件：106.42 Kbytes Page：8 Pages	SecondMixerIFfordigitalcellularphones TheBH4128FVisanICequippedwithinternalsecondmixerandIFamplifiercircuits,developedforusewithdigitalcellularphones. Features 1)Equippedwithinternalmixer,IF,andRSSIcircuits. 2)Canbeoperatedatmixerinputfrequenciesrangingfrom10MHzto200MHz. 3)IFamplifiergain	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BH4128FV	文件：106.42 Kbytes Page：8 Pages	SecondMixerIFfordigitalcellularphones TheBH4128FVisanICequippedwithinternalsecondmixerandIFamplifiercircuits,developedforusewithdigitalcellularphones. Features 1)Equippedwithinternalmixer,IF,andRSSIcircuits. 2)Canbeoperatedatmixerinputfrequenciesrangingfrom10MHzto200MHz. 3)IFamplifiergain	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CD4128	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4128	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
EE4128	文件：58.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:EE>Series>	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
EE4128MS	文件：58.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:EE>Series>	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
ISPMACH4128B	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPMACH4128C	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPMACH4128V	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPMACH4128ZC	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPMACH4128ZE	文件：1.25841 Mbytes Page：54 Pages	1.8VIn-SystemProgrammableUltraLowPowerPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
KEQ4128A	文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	MAGNETICPOWDERCORES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LA-ISPMACH4128V	文件：240.1 Kbytes Page：42 Pages	3.3V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
LC4128	文件：851.16 Kbytes Page：91 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighdensityPDLs ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
LC4128X	文件：851.16 Kbytes Page：91 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighdensityPDLs ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice

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详细参数

型号：
AOD4128
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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