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BH4128FV	文件：106.42 Kbytes Page：8 Pages	SecondMixerIFfordigitalcellularphones TheBH4128FVisanICequippedwithinternalsecondmixerandIFamplifiercircuits,developedforusewithdigitalcellularphones. Features 1)Equippedwithinternalmixer,IF,andRSSIcircuits. 2)Canbeoperatedatmixerinputfrequenciesrangingfrom10MHzto200MHz. 3)IFamplifiergain	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CD4128	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4128	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
EE4128	文件：58.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:EE>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
EE4128MS	文件：58.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:EE>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
ISPMACH4128B	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPMACH4128C	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPMACH4128V	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPMACH4128ZC	文件：451.27 Kbytes Page：99 Pages	3.3V/2.5V/1.8VIn-SystemProgrammableSuperFASTHighDensityPLDs	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
ISPMACH4128ZE	文件：1.25841 Mbytes Page：54 Pages	1.8VIn-SystemProgrammableUltraLowPowerPLDs	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

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详细参数

型号：
AOD4128
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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