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AOD2C60	文件：341.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：341.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD2C60	文件：254.15 Kbytes Page：6 Pages	600V,2A N-Channel MOSFET 文件：254.15 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 2A	AOS 美国万代	AOS
HCN2C60	文件：179.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifier 文件：179.68 Kbytes 页数：3 Pages	HUASHAN 华汕电子器件	HUASHAN
HCR2C60	文件：177.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifier 文件：177.96 Kbytes 页数：3 Pages	HUASHAN 华汕电子器件	HUASHAN
SCN2C60	文件：543.84 Kbytes Page：5 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers 文件：543.84 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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更多AOD2C60供应商更新时间2026-1-20 14:14:00