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AOC3860

12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

文件:350.87 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOC3860

低压共漏电池 MOSFET

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于锂电池的保护。这些“共漏”MOSFET具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命。 同时, Alpha and Omega Semiconductor拥有先进的CPS技术,拥有该技术的RigidCSP™系列产品,可以减少其在焊接过程中的翘曲,提高了产品在应用中的可靠性。

AOS

美国万代

AOC3860A

12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

文件:387.64 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOC3860A

低压共漏电池 MOSFET

12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOC3860C

低压共漏电池 MOSFET

12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

技术参数

  • Package:

    AlphaDFN3.05x1.77B-6L

  • Configuration:

    Common Drain

  • Polarity:

    N

  • Vss (V):

    12

  • VGS (±V):

    8

  • IS @ 25°C (A):

    25

  • PD @ 25°C (W):

    3.10

  • Qg (4.5V)(nC):

    36

  • VGS(th) max (V):

    1.10

  • 4.5V:

    3.50

  • 3.8V:

    3.75

  • 2.5V:

    5

  • tD(on) (ns):

    2

  • tD(off) (ns):

    6

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS/万代
2019+
DFN
6700
原厂渠道 可含税出货
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AOS专营现货
20+
DFN
69000
AOS原装主营型号-可开原型号增税票
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AOS
24+
DFN
65300
一级代理/放心购买!
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AOS/万代
2447
DFN3.05x1.77-6L
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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AOS
25+
DFN-6
3675
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AOS
21+
DFN3.05x1.77-6L
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24+
DFN
8000
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AOS/万代
23+
DFN3.05x1.77-6L
9000
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22+
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更多AOC3860供应商 更新时间2025-10-4 16:03:00