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AOB2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOT2608L/AOB2608L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), Ciss and Coss.This device 文件：294.93 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB2608L	文件：282.72 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：282.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB2608L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺，生产各种性能领先的中压SGT产品。\n\n• 电源（初级与次级）\n• 电信\n• BLDC\n• BMS	AOS 美国万代	AOS
AOT2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOT2608L/AOB2608L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), Ciss and Coss.This device 文件：294.93 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT2608L	文件：289.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT2608L	文件：1.2892 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.2892 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
7.60
ID @ 25°C (A)：
72
PD @ 25°C (W)：
100
Qg (10V)(nC)：
38.50
VGS(th) max (V)：
3.60
Ciss (pF)：
2995
Coss (pF)：
270
Crss (pF)：
10.50
Qgd (nC)：
3.50
tD(on) (ns)：
15
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
24
Qrr (nC)：
115
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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更多AOB2608L供应商更新时间2026-1-28 16:04:00

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