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AOB15B65M1

IGBT with fast recovery diode

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 1.7V@IC= 15A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Motor Drives ·Sewing Machines ·Home Appliances ·Fan, Pumps, Vacuum Cleaner ·Other Hard Switching Applications

文件:372.88 Kbytes 页数:4 Pages

ISC

无锡固电

AOB15B65M1

TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION

文件:18.67 Kbytes 页数:1 Pages

AOSMD

万国半导体

AOB15B65M1

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOTF15B65M1

High short-circuit ruggedness

文件:538.7 Kbytes 页数:9 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    TO263

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    32

  • Qrr (nC):

    700

  • VF (V):

    1.77

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    1.70

  • Ic max @ 25C (A):

    30

  • Ic max @ 100C (A):

    15

  • EON (mJ):

    0.29

  • EOFF (mJ):

    0.20

  • IRM (A):

    4.70

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更多AOB15B65M1供应商 更新时间2026-2-2 17:00:00