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AOB12N65	文件：385.6 Kbytes Page：6 Pages	650V, 12A N-Channel MOSFET AOTF12N65 -> Marking : TF12N65 The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf 文件：385.6 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12N65	文件：160.22 Kbytes Page：6 Pages	650V, 12A N-Channel MOSFET AOTF12N65 -> Marking : TF12N65 The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf 文件：160.22 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOB12N65L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 650V, 12A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
278
10V：
720
Qg (10V)(nC)：
39.80
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
1792
Coss (pF)：
152
Crss (pF)：
11.50
Qgd (nC)：
16.80
tD(on) (ns)：
36
tD(off) (ns)：
120
Trr (ns)：
375
Qrr (nC)：
7500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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