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AOB12N60FD	文件：78.29 Kbytes Page：1 Pages	TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：78.29 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12N60FD	文件：297.59 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：297.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB12N60FDL	文件：78.29 Kbytes Page：1 Pages	TO263(D2PAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：78.29 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12N60FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, 12A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
278
10V：
650
Qg (10V)(nC)：
41
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1659
Coss (pF)：
166
Crss (pF)：
15.80
Qgd (nC)：
19
tD(on) (ns)：
34
tD(off) (ns)：
120
Trr (ns)：
135
Qrr (nC)：
500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOB12N60FD供应商更新时间2026-2-4 10:02:00

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