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AOB11S60L	文件：508.66 Kbytes Page：7 Pages	600V 11A a MOS General Description The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：508.66 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOB11S60L	文件：1.03889 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Telecommunications - Server and telecom power supplies • Light 文件：1.03889 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB11S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 11A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
178
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
11
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
545
Coss (pF)：
37.30
Crss (pF)：
1.42
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
20
tD(off) (ns)：
59
Trr (ns)：
250
Qrr (nC)：
3300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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