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AOB095A60L	文件：463.58 Kbytes Page：6 Pages	600V,aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：463.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB095A60L	文件：306.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 38A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.095Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and SMPS with PFC 文件：306.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB095A60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOT095A60L	文件：463.58 Kbytes Page：6 Pages	600V,aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：463.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF095A60L	文件：463.58 Kbytes Page：6 Pages	600V,aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：463.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
38
PD @ 25°C (W)：
378
10V：
95
Qg (10V)(nC)：
78
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
4010
Coss (pF)：
105
Crss (pF)：
1.20
Qgd (nC)：
24
tD(on) (ns)：
48
tD(off) (ns)：
99
Trr (ns)：
444
Qrr (nC)：
11500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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