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AO8820	文件：207.11 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switc 文件：207.11 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8820	文件：205.71 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件：205.71 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8820	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO8820	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N -Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO8820	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO8820L	文件：194.84 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4707 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of non-synchronous DC-DC converters. Standard Product AO8820 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO882 文件：194.84 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8820L	文件：207.11 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switc 文件：207.11 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8820_12	文件：205.71 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件：205.71 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSSOP-8L
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
21
4.5V：
24
2.5V：
32
1.8V：
50
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
1.50
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.10
Ciss (pF)：
500
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
52
Qgd (nC)：
1
tD(on) (ns)：
0.20
tD(off) (ns)：
7.40
Trr (ns)：
9
Qrr (nC)：
10
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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