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AO8820	文件：207.11 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8820usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitc	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8820	文件：205.71 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8820L	文件：194.84 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode GeneralDescription TheAO4707usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofnon-synchronousDC-DCconverters.StandardProductAO8820isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO882	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8820L	文件：207.11 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8820usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitc	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8820_12	文件：205.71 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APW8820	文件：534.23 Kbytes Page：23 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputers	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8820QAI-TRG	文件：534.23 Kbytes Page：23 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputers	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8820QBI-TRG	文件：534.23 Kbytes Page：23 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputers	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
BC8820K	文件：558.24 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheBC8820Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge. ItisESDprotected.Thisdeviceissuitable foruseasauni-directionalorbi-directional loadswitch,facilitatedbyitscommon-drainconfiguration.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BCL8820KDW	文件：731.32 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheBCL8820KDWusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge. ItisESDprotected. Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyitscommon-drainconfiguration.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
AO8820
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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