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AO7405	文件：113.62 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO7405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V,inthesmallSOT363footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7405	文件：1.01684 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices -CellularPhone -DSC -PortableGameConsole -MP3 -GPS	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO7405	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V); 30V P-Channel MOSFET\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AO7405	文件：213.36 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7405L	文件：113.62 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO7405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V,inthesmallSOT363footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7405_11	文件：213.36 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SC70-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
115
4.5V：
140
2.5V：
200
ID @ 25°C (A)：
-1.40
PD @ 25°C (W)：
0.35
Qg (4.5V)(nC)：
2.80
Qg (10V)(nC)：
5.90
VGS(th) max (V)：
-1.40
Ciss (pF)：
260
Coss (pF)：
37
Crss (pF)：
20
Qgd (nC)：
1
tD(on) (ns)：
6
tD(off) (ns)：
20
Trr (ns)：
11.50
Qrr (nC)：
4.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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