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AO4828L	文件：109.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4828 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4828L is a Green Product order 文件：109.93 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4828_10	文件：173.96 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：173.96 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
56
4.5V：
77
ID @ 25°C (A)：
4.50
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (10V)(nC)：
8.50
Qg (4.5V)(nC)：
4.30
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
450
Coss (pF)：
60
Crss (pF)：
25
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
4.70
tD(off) (ns)：
15.70
Trr (ns)：
27.50
Qrr (nC)：
32
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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