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AO4817	文件：107.62 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4817 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4817 is Pb-free (meets ROHS & 文件：107.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4817	文件：1.38286 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4817；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -8 A (VGS = -20V) ● RDS(ON) 文件：1.38286 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4817	文件：1.40102 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs - Game Stations 文件：1.40102 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4817	文件：174.94 Kbytes Page：4 Pages	25V Dual P-Channel MOSFET 文件：174.94 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4817	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4817-HF	文件：1.9016 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4817；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -8 A (VGS = -20V) ● RDS(ON) 文件：1.9016 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4817L	文件：107.62 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4817 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4817 is Pb-free (meets ROHS & 文件：107.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4817_10	文件：174.94 Kbytes Page：4 Pages	25V Dual P-Channel MOSFET 文件：174.94 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Package：
SOIC-8
Configuration：
Dual - P
Vds/V：
-30
Vgs/V：
25
Id(A)(25℃)：
-8
Id(A)(75℃)：
-6.9
Pd(W)(25℃)：
2
Pd(W)(75℃)：
1.44
Rds (on) mΩ max(10V)：
21
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
30

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