AO4726中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO4726规格书详情
General Description
SRFET TM The AO4726/L uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. AO4726 and AO4726L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4726L is Halogen Free
Features
VDS (V) = 30V
ID =18A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 6mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
产品属性
- 型号：
AO4726
- 功能描述：
MOS N CH 30V 20A SOIC 8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SRFET™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
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