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AO4724中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AO4724

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

116.44 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 12:51:00

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AO4724规格书详情

General Description

SRFET TM The AO4724 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. Standard product AO4724 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

特性 Features

VDS (V) = 30V

ID = 10.5A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 17.5mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

UIS TESTED!

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

产品属性

  • 型号:

    AO4724

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 7.7A SOIC 8

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SRFET™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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