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IRGB4620DPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa

IRF

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更多AO4620-HF供应商 更新时间2025-7-29 11:00:00