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AO4614B_AOS/美国万代_MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8鑫宇杨电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
AO4614B
- 功能描述:
MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商
- 企业:
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
肖先生/欧阳小姐
- 手机:
13670052109/17820397287
- 询价:
- 电话:
0755-36972287/0755-36972287
- 传真:
0755-83950482
- 地址:
深圳市福田区赛格科技园四栋西//香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1806室
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