AO4610数据手册AOS中文资料规格书
AO4610规格书详情
描述 Description
General Description
The AO4610 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications. A Schottky diode is co-packaged with the n-channel FET to minimize body diode losses. Standard Product AO4610 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4610L is a Green Product ordering option. AO4610 and AO4610L are electrically identical.
特性 Features
n-channel p-channel
VDS(V) = 30V -30V
ID= 8.5A(VGS=10V) -7.1A(VGS= -10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 18mΩ(VGS=10V) < 25mΩ(VGS= -10V)
< 28mΩ(VGS=4.5V) < 40mΩ(VGS= -4.5V)
VF<0.5V@1A
技术参数
- 型号：
AO4610
- 制造商：
AOSMD
- 制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
- 功能描述：
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/ 万代 |
24+ |
SOP-8 |
16719 |
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