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DS4420+	文件：147.17 Kbytes Page：10 Pages	I2CProgrammable-GainAmplifierforAudioApplications GeneralDescription TheDS4420isafullydifferential,programmable-gainamplifierforaudioapplications.Itfeaturesa-35dBto+25dBgainrangecontrolledbyanI2Cinterfaceanditisoptimizedtodriveloadsaslowas50Ω.Thegainisadjustablein3dBincrementsacrosstheentirerange.	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DTM4420	文件：1.53821 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFETOptimizedforHigh-SideSynchronous	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTM4420	文件：1.04671 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
DTM4420B	文件：1.53475 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTM4420B	文件：1.33653 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
E4420B	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
EDAC4420	文件：165.66 Kbytes Page：1 Pages	EDAC4xx0-Series ProductDescription GroundingRailforE-SeriesCabinets.Solidcopperrod(5x20mm)availableforhorizontaland15U,18U,22U,27U,32U,37U,42U,45U,47Uverticalmounting.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
FDR4420A	文件：224.89 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription TheSuperSOT-8familyofN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedtoprovidealowprofile,smallfootprintalternativetoindustrystandardSO-8littlefoottypeproduct.TheseMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDR4420A	文件：67.41 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GAPM4420	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
AO4420A
功能描述：
MOSFET N CH 30V 13.7A SOIC 8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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