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AO4413-HF	文件：2.67415 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-15A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AON4413	文件：141.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON4413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAON4413isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features VDS(V)=-30V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4413GM	文件：74.71 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4413M	文件：110.08 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
BA4413	文件：204.07 Kbytes Page：7 Pages	FMFrontEndIC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C4413	文件：73.96 Kbytes Page：1 Pages	2P24SOLIDBCSRPVCUNSHLDPVCSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CHT4413UPNPT	文件：179.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP&NPNMuti-ChipGeneralPurposeTransistor VOLTAGE40VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. TwointernalisolatedPNPandNPNtransistorsinonepackage. A	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CMLT4413	文件：584.4 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYNPN/PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT4413consistsofoneisolated2N4401NPNsilicontransistorandonecomplementaryisolated2N4403PNPsilicontransistor,manufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563surfacemountpackage.Thisdeviceisdesignedforsmall	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DMG4413LSS	文件：90.78 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG4413LSSQ	文件：246.57 Kbytes Page：5 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPAvailable(Note4) Applications •Backli	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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