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AO3438

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO3438usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AO3438andAO3438Lareeletricallyidentical. -RoHsCompliant -A

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO3438

N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=20V ●ID=3A(VGS=4.5V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO3438

20V N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO3438-HF

N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=20V ●ID=3A(VGS=4.5V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO3438_10

20V N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO3438-3

N-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO3438-HF-3

N-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

详细参数

  • 型号:

    AO3438

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 3A SOT23

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AO3438供应商 更新时间2025-7-27 10:21:00