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AO3434	文件：175.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3434usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO3434isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3434	文件：1.27436 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434	文件：174.19 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3434A	文件：285.5 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO3434AcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3434A	文件：1.79008 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434A-HF	文件：1.96162 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434-HF	文件：1.46605 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434_10	文件：174.19 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3434-3	文件：1.42744 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434A-3	文件：1.79372 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434A-HF-3	文件：2.04366 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO3434-HF-3	文件：1.47017 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
3434	文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	3/8SquareDriveSockets,SAE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
3434	文件：535.76 Kbytes Page：3 Pages	INSULATEDTWINCLIPS	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
AM3434N	文件：65.08 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
BL-B3434	文件：365.92 Kbytes Page：4 Pages	Round–5mm(T13/4)LEDComponents 1.Chipmaterial:GaAsP/GaP 2.Emittedcolor:SuperYellow 3.LensAppearance:YellowTransparent 4.Lowpowerconsumption. 5.Highefficiency. 6.VersatilemountingonP.C.Boardorpanel. 7.Lowcurrentrequirement. 8.5mmdiameterpackage 9.Thisproductdon’tcontainedrestriction s	AmericanBright American Bright
BL-B3434	文件：281.59 Kbytes Page：5 Pages	LEDLAMP	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司
CJ3434	文件：1.02979 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
DLPC3434	文件：173.77 Kbytes Page：6 Pages	0.23HDDMDDatasheet	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
DLPC3434	文件：568.98 Kbytes Page：9 Pages	Low-PowerDMDInterfaceWithInterfaceTraining	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)

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详细参数

型号：
AO3434
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AO3434	AO	23+	SOT23-3	45000	热卖优势现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	AO3434	AOS(万代)	23+	标准封装	7461	我们只是原厂的搬运工	询价
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更多AO3434供应商更新时间2024-4-28 11:19:00

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