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AO3434	文件：175.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3434usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO3434isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3434	文件：1.27436 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3434	文件：174.19 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3434A	文件：285.5 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO3434AcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3434A	文件：1.79008 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3434A-HF	文件：1.96162 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3434-HF	文件：1.46605 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3434_10	文件：174.19 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3434-3	文件：1.42744 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3434A-3	文件：1.79372 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
AO3434
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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