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AO3421E	文件：314.64 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO3421E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON) . This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V ID(at VGS=-10V) 文件：314.64 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3421E	文件：1.73349 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.73349 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3421E	文件：1.047369 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：1.047369 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3421E-HF	文件：2.01761 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-3 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.01761 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3421E-3	文件：1.88354 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.88354 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3421E-HF-3	文件：2.05509 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.05509 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3421E	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
95
4.5V：
160
ID @ 25°C (A)：
-3
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
2.20
Qg (10V)(nC)：
4.60
VGS(th) max (V)：
-2.50
Ciss (pF)：
215
Coss (pF)：
46.50
Crss (pF)：
27.50
Qgd (nC)：
1.20
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
13.50
Trr (ns)：
9
Qrr (nC)：
16
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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