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AO3403	文件：111.05 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3403L is a Green Product order 文件：111.05 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3403	文件：2.42294 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2.6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.42294 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3403	文件：440.06 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets P-Channel MOSFET FEATURES • The AO3403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：440.06 Kbytes 页数：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
AO3403	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3403L is a Green Product order 文件：614.03 Kbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3403	文件：500.34 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：500.34 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3403	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO3403A	文件：636.11 Kbytes Page：6 Pages	丝印：A3NL；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -2.6A (at VGS=-10V) RDS(ON) 文件：636.11 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3403A	文件：725.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：A3NL；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -2.6A (at VGS=-10V) RDS(ON) 文件：725.98 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3403-HF	文件：2.44602 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2.6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.44602 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3403L	文件：111.05 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3403L is a Green Product order 文件：111.05 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
115
4.5V：
150
2.5V：
200
ID @ 25°C (A)：
-2.60
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
2.80
Qg (10V)(nC)：
5.90
VGS(th) max (V)：
-1.40
Ciss (pF)：
260
Coss (pF)：
37
Crss (pF)：
20
Qgd (nC)：
1
tD(on) (ns)：
6
tD(off) (ns)：
20
Trr (ns)：
11.50
Qrr (nC)：
4.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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