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B321	文件：4.95484 Mbytes Page：28 Pages	MiniatureBasedLEDLamps	LEDTRONICS LEDTRONICS, INC	LEDTRONICS
BAS321	文件：82.88 Kbytes Page：12 Pages	Generalpurposediode DESCRIPTION TheBAS321isageneralpurposediodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinaplasticSOD323package. FEATURES •SmallplasticSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.200V •Repetitivepeakreversevoltage	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BAS321	文件：125.38 Kbytes Page：9 Pages	Generalpurposediode Generaldescription GeneralpurposediodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinaverysmallplasticSOD323(SC76)package. Featuresandbenefits •SmallplasticSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.200V •Repetiti	ETC	ETC
BAS321	文件：414.57 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeDiode Features •VerysmallplasticSMDpackage. •Highswitchingspeed:max.50ns •Continuousreversevoltage:max.200v •Repetitivepeakreversevoltage:max.250v •Repetitivepeakforwardcurrent:max.650mA •RoHScompliantpackage	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
BAS321	文件：649.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BAS321	文件：125.38 Kbytes Page：9 Pages	BAS321Generalpurposediode	ETC	ETC
BAS321	文件：200.62 Kbytes Page：10 Pages	Generalpurposediode 1.Generaldescription GeneralpurposediodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinaverysmallSOD323 (SC-76)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •SmallplasticSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.200V	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS321-HF	文件：465.47 Kbytes Page：4 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes Features -Fastswitchingspeed. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS321J	文件：195.37 Kbytes Page：12 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiodeinaverysmallSOD323F(SC-90)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •HighreversevoltageVR≤200V •Lowcapacitance:	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS321-Q	文件：202.32 Kbytes Page：10 Pages	Generalpurposediode 1.Generaldescription GeneralpurposediodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinaverysmallSOD323 (SC-76)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •SmallplasticSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.200V	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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