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AVHF225	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CIT CIT Relay & Switch	CIT
AVHT225	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CIT CIT Relay & Switch	CIT
AVT225	文件：124.83 Kbytes Page：6 Pages	Hightemperaturevitreouscoating	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA225	文件：73.38 Kbytes Page：6 Pages	CRtimer TheBA225,BA225F,BA235,BA226,BA226F,andBA236aremonolithicICshavingindependentmonostablemultivibratorcircuitswhichconsumeverylowcurrent(0.75mAtyp.).Usingexternalresistorsandcapacitors,thetimingcontroltimecanbesetwithinarangefrom0.01msto100ms. AstheBA225,	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA225F	文件：73.38 Kbytes Page：6 Pages	CRtimer TheBA225,BA225F,BA235,BA226,BA226F,andBA236aremonolithicICshavingindependentmonostablemultivibratorcircuitswhichconsumeverylowcurrent(0.75mAtyp.).Usingexternalresistorsandcapacitors,thetimingcontroltimecanbesetwithinarangefrom0.01msto100ms. AstheBA225,	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BFQ225	文件：45.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNvideotransistor NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNsilicontransistorencapsulatedina3-leadplasticSOT128Bpackage. APPLICATIONS •Primarilyintendedforcascodeoutputandbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BH225	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLF225	文件：69.98 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheVHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT123flangeenvelope,withaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange. FEATURES •E	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BSP225	文件：76.74 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BSP225	文件：184.47 Kbytes Page：13 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·LowRDS(on) ·DirectinterfacetoC-MOS,TTL, etc. ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown. DESCRIPTION P-channelenhancementmode verticalD-MOStransistorina miniatureSOT223envelope, intendedforuseinrelay,high-speed andlinetransformerdrivers.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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深圳市易讯博科技有限公司	ANLTE1-10HRA	Multi-Tech	22+	NA	909	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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