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AN-2109

用于手势识别的高功率VCSELs

II-VI'的HVS7000产品系列采用了定制的AlN单腔封装,带有一个凹陷的腔体,以稳健地集成一个光学器件,如扩散器。该系列与Finisar的高功率二维阵列VCSEL裸片一起,均通过AECQ和Jedec认证。 在-40°C至+125°C的工作温度下性能稳定,加上一流的可靠性和寿命,使II-VI VCSEL适用于任何行业。有多种产品可供选择,从适合准CW操作的产品到专门为飞行时间(ToF)应用提供最高峰值功率密度的器件。 HVS7000-004具有大于2W的CW,其脉冲宽度小于10ns,占空比小于1%,能达到大于15W的峰值功率,并且具有110×85的宽广FOV。 • 940nm多模VCSEL\n• 氧化物隔离技术\n• 高效率\n• 10um光圈,30微米间距,537个发射器,采用3.5×3.5×1.6mm封装,带110×85度漫射器。\n• 箱体工作温度:-40℃至105℃。;

II-VI

AOB210L

30V N-Channel MOSFET

文件:253.51 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOB210L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:297.41 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOD210

30V N-Channel MOSFET

文件:247.17 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

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更多AN-210供应商 更新时间2025-12-17 9:32:00