AML2002分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AML2002 |
| 参数属性 | AML2002 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 200V 0.7A TO126ML |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor LED Back Light |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
364.16 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Sanyo Semicon Device |
| 企业简称 |
SANYO【三洋】 |
| 中文名称 | 三洋电机株式会社官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 9:36:00 |
| 人工找货 | AML2002价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AML2002规格书详情
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
Features
• VCEO=200V, IC=0.7A
• Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.125V(typ.)@IC=0.35A
• High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A
• The plastic-covered heat sink eliminates the need for an insulator when mounting the AML2002
产品属性
- 产品编号：
AML2002
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 35mA，350mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126ML
- 描述：
TRANS NPN 200V 0.7A TO126ML
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-225AA TO-126-3 |
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