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BSP225	文件：76.74 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP225	文件：184.47 Kbytes Page：13 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·LowRDS(on) ·DirectinterfacetoC-MOS,TTL, etc. ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown. DESCRIPTION P-channelenhancementmode verticalD-MOStransistorina miniatureSOT223envelope, intendedforuseinrelay,high-speed andlinetransformerdrivers.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS225	文件：205.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS225	文件：207.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS225	文件：2.47241 Mbytes Page：23 Pages	PhaseCutDimmableNon-isolatedBuckConverterforLEDRetrofitBulbwith	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BST-225	文件：5.60083 Mbytes Page：64 Pages	SolderingToolsandEquipmentforElectronicsAssembly	METCAL Metcal	METCAL
BTA225	文件：17.71 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225	文件：61.33 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION GlasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopeintendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccurloads.Thesedeviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiontemperature,withouttheaid	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225	文件：61.33 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225B	文件：22.04 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION Glasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting,intendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccur.These deviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiont	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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