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DC756	文件：162.14 Kbytes Page：2 Pages	QUADRATUREHYBRIDOCTAVEBAND,3dB	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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DL756A	文件：222.31 Kbytes Page：3 Pages	0.5WSiliconPlanarZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DR756	文件：522.45 Kbytes Page：4 Pages	PassivatedRectifier50-1000Volts6AmpGlass	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DR756	文件：82.9 Kbytes Page：1 Pages	25AMPLEADMOUNTBUTTONDIODES FEATURES ●SUGGESTEDREPLACEMENTFORMR751,MR752,MR754,MR756DIODES ●VOIDFREEVACUUMDIESOLDERINGFORMAXIMUMMECHANICALSTRENGTHANDHEATDISSIPATION(SolderVoids:Typical	DECDIOTEC Electronics Corporation DIOTEC Electronics Corporation	DEC
DR756	文件：85.02 Kbytes Page：3 Pages	PassivatedRectifier50-1000Volts6AmpGlass Features •LowCostandLowLeakage •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabili	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DR756	文件：497.27 Kbytes Page：4 Pages	6AmpGlassPassivatedRectifier50-1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DRA756	文件：7.5583 Mbytes Page：443 Pages	DRA75x,DRA74xInfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DRA756	文件：101.91 Kbytes Page：5 Pages	SoCProcessorsforAutomotiveInfotainmentTechnicalBrief	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
FN-756X	文件：420.85 Kbytes Page：4 Pages	DCFeedthroughCapacitor	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳上海夏弗纳国际贸易有限公司	SCHAFFNER
GI756	文件：79.33 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI756	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TY	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI756	文件：76.51 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI756	文件：83.31 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
GI756	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highforwardcurrentcapability ♦Diffusedjunction ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,	GE GE Industrial Company	GE
HMC756	文件：289.78 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC1WATTPOWERAMPLIFIER,16-24GHz GeneralDescription TheHMC756isathreestageGaAsPHEMTMMIC1WattPowerAmplifierwhichoperatesbetween16and24GHz.TheHMC756provides23dBofgain,and+33dBmofsaturatedoutputpowerat28PAEfroma+7Vsupply.TheRFI/OsareDCblockedandmatchedto50Ohmsforeaseofintegra	Hittite HITTITE	Hittite

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更多AMD756供应商更新时间2024-5-28 17:11:00

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