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IRHN9130	文件：135.55 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHNJ9130	文件：127.97 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHNJ9130	文件：126.5 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-0.5)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHY9130CM	文件：116.51 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffects	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHY9130CM	文件：122.1 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISD9130CFI	文件：6.04711 Mbytes Page：415 Pages	ISD9160TechnicalReferenceManual	NuvotonNuvoton Technology Corporation 新唐新唐科技股份有限公司	Nuvoton
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LET9130	文件：57.63 Kbytes Page：6 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology DESCRIPTION TheLET9130isacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheLET9130isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcemod	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M9130	文件：57.68 Kbytes Page：6 Pages	6A,-100V,0.550Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardness	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
M9130	文件：28.69 Kbytes Page：2 Pages	CDS,OSH&ON/OFF FEATURES功能敘述 ‧SeparateLEDandBUZZERdriver. ‧MODE：ONE-SHOT LEVEL-HOLD1 LEVEL-HOLD2 ON/OFF(Suffix-X)	MOSDESIGN 一华	MOSDESIGN
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更多AM9130CDM-B供应商更新时间2024-6-1 18:09:00

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