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AM8205	文件：886.85 Kbytes Page：11 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FEATURES  TSSOP8 VDS= 20V, ID= 6.2A RDS(ON) =21mΩ(Typ.)@ VGS= 4.5V RDS(ON) =22mΩ(Typ.)@ VGS= 4.0V RDS(ON) =23mΩ(Typ.)@VGS = 3.2V RDS(ON) =25mΩ(Typ.)@VGS = 2.5V  SOT-26 VDS = 20V, ID = 6A RDS(ON) =22mΩ(Typ.)@VGS = 4.5V RDS(ON) =25mΩ(Typ.)@VGS = 2.5V  Fast switch  High power and curr 文件：886.85 Kbytes 页数：11 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM8205	文件：300 bytes Page：1 Pages	採用SOT - 26雙MOSFET	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM8205TMX8R	文件：963.82 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：963.82 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AM8205TMX8VR	文件：963.83 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：963.83 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AM8205C	文件：300 bytes Page：1 Pages	CSP6	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

稳态分布容积 (V)：
20
VGS (V)：
±12
入侵检测系统（一） (25°C)：
6.0
阈值电压(V) 最小值/最大值：
0.4/1.0
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
22
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
25
应用：
Battery
交叉参考：
AO8205

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更多AM8205供应商更新时间2025-12-4 10:00:00

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