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AM6602	文件：883.14 Kbytes Page：12 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION AM6602 is available in a SOT-26 package. FEATURES  N-Channel 30V/4.9A, RDS(ON)=39mΩ(max.) @ VGS=10V RDS(ON)=68mΩ(max.) @ VGS=4.5V  P-Channel -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.) @ VGS=-10V RDS(ON)=170mΩ(max.) @ VGS=-4.5V  Reliable and Rugged  Lead Free and Green Devices Avai 文件：883.14 Kbytes 页数：12 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM6602	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOS管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM6602E6R	文件：883.14 Kbytes Page：12 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION AM6602 is available in a SOT-26 package. FEATURES  N-Channel 30V/4.9A, RDS(ON)=39mΩ(max.) @ VGS=10V RDS(ON)=68mΩ(max.) @ VGS=4.5V  P-Channel -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.) @ VGS=-10V RDS(ON)=170mΩ(max.) @ VGS=-4.5V  Reliable and Rugged  Lead Free and Green Devices Avai 文件：883.14 Kbytes 页数：12 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM6602E6VR	文件：883.14 Kbytes Page：12 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET (N- AND P-CHANNEL) DESCRIPTION AM6602 is available in a SOT-26 package. FEATURES  N-Channel 30V/4.9A, RDS(ON)=39mΩ(max.) @ VGS=10V RDS(ON)=68mΩ(max.) @ VGS=4.5V  P-Channel -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.) @ VGS=-10V RDS(ON)=170mΩ(max.) @ VGS=-4.5V  Reliable and Rugged  Lead Free and Green Devices Avai 文件：883.14 Kbytes 页数：12 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI

技术参数

VGS (V)：
±20±20
IDS (A) (25°C)：
4.9-3
VGS(TH) (V) Min/Max：
1.3/2.5
RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ：
3282
Type：
NP
ESD：
–
Vgs=±1.5V (mΩ) Typ：
–
Vgs=±4.5V (mΩ) Typ：
52125
Vgs=±2.5V (mΩ) Typ：
–
Vgs=±1.8V (mΩ) Typ：
–
Package Type：
SOT-26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AM6602E6VR	AIT-IC	23+	SOT23-6	27644	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	AM6612N	ANALOGPO	20+	SOP8	32970	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	AM6612N	Analog Po	1709+	SOP8	45000	普通	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	AM6612N	ANALOGPOWER	SOP-8	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多AM6602供应商更新时间2025-12-10 11:10:00

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