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AM6512	文件：836.72 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM6512isavailableinDFN8(5x6)package. FEATURES 꺶30V/80A, RDS(ON)=1.9m?(Max.)@VGS=10V RDS(ON)=3m?(Max.)@VGS=4.5V 꺶100UIS+RgTested 꺶ReliableandRugged 꺶LowerQgandQgdforhigh-speedswitching 꺶LowerRDS(ON)toMinimizeConductionLosses 꺶Available	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM6512	文件：300 bytes Page：1 Pages	DFN8;	AiT-SemiAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AiT-Semi
AM6512J8R	文件：836.72 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM6512isavailableinDFN8(5x6)package. FEATURES 꺶30V/80A, RDS(ON)=1.9m?(Max.)@VGS=10V RDS(ON)=3m?(Max.)@VGS=4.5V 꺶100UIS+RgTested 꺶ReliableandRugged 꺶LowerQgandQgdforhigh-speedswitching 꺶LowerRDS(ON)toMinimizeConductionLosses 꺶Available	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM6512J8VR	文件：836.72 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM6512isavailableinDFN8(5x6)package. FEATURES 꺶30V/80A, RDS(ON)=1.9m?(Max.)@VGS=10V RDS(ON)=3m?(Max.)@VGS=4.5V 꺶100UIS+RgTested 꺶ReliableandRugged 꺶LowerQgandQgdforhigh-speedswitching 꺶LowerRDS(ON)toMinimizeConductionLosses 꺶Available	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AON6512	文件：287 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelAlphaMOS GeneralDescription •LatestTrenchPowerAlphaMOS(αMOSLV)technology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant VDS30V ID(atVGS=10V)150A RDS(ON)(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6512	文件：310.78 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP6512	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AP6512A	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD6512F	文件：413.72 Kbytes Page：21 Pages	2chHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD6512F	文件：215.45 Kbytes Page：6 Pages	High-SideSwitch Description HighsideswitchforUSBisahighsideswitchhavingovercurrentprotectionusedinpowersupplylineofuniversalserialbus(USB).ItsswitchunithastwochannelsofN-channelpowerMOSFET,andcurrentof500mAasUSBstandardcanbeflowntotherespectivechannels.And,overcu	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

入侵检测系统（一） (25°C)：
30
稳态分布容积 (V)：
±20
VGS (V)：
28
阈值电压(V) 最小值/最大值：
1.3/2.3
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
1.5
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
2.2
应用：
PWM
交叉参考：
AON6578 AON6210

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更多AM6512供应商更新时间2025-7-29 14:03:00

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