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AM4409	文件：868.91 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM4409 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density advanced trench technology.. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap 文件：868.91 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM4409	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOP8 MOSFET	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM4409M8R	文件：868.91 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM4409 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density advanced trench technology.. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap 文件：868.91 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM4409M8VR	文件：868.91 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM4409 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density advanced trench technology.. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap 文件：868.91 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM4409P	文件：209.03 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：209.03 Kbytes 页数：5 Pages	ANALOGPOWER	ANALOGPOWER
AM4409P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	AnalogPower 美商亚柏	AnalogPower

技术参数

ESD：
Yes
稳态分布容积 (V)：
-30
VGS (V)：
±20
入侵检测系统（一） (25°C)：
-17
阈值电压(V) 最小值/最大值：
-1.0/-2.0
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
7
应用：
PWM/Switch
交叉参考：
AO4409

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